View of SIMULASI PENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM TERHADAP BANDGAP NARROWING PADA HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR Si-Ge MENGGUNAKAN MATLA

Return to Article Details SIMULASI PENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM TERHADAP BANDGAP NARROWING PADA HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR Si-Ge MENGGUNAKAN MATLA Download Download PDF