., M., Sumirat, I., & Muliawati, F. (2020). SIMULASI PENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM TERHADAP BANDGAP NARROWING PADA HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR Si-Ge MENGGUNAKAN MATLA. JuTEkS (Jurnal Teknik Elektro Dan Sains), 7(2). https://doi.org/10.32832/juteks.v7i2.13494