[1]
M. ., I. Sumirat, and F. Muliawati, “SIMULASI PENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM TERHADAP BANDGAP NARROWING PADA HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR Si-Ge MENGGUNAKAN MATLA”, JuTEkS, vol. 7, no. 2, Feb. 2020.