., M., I. Sumirat, and F. Muliawati. “SIMULASI PENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM TERHADAP BANDGAP NARROWING PADA HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR Si-Ge MENGGUNAKAN MATLA”. JuTEkS (Jurnal Teknik Elektro Dan Sains), vol. 7, no. 2, Feb. 2020, doi:10.32832/juteks.v7i2.13494.