., Muhidin, Iwan Sumirat, and Fithri Muliawati. “SIMULASI PENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM TERHADAP BANDGAP NARROWING PADA HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR Si-Ge MENGGUNAKAN MATLA”. JuTEkS (Jurnal Teknik Elektro dan Sains) 7, no. 2 (February 1, 2020). Accessed May 11, 2024. https://ejournal.uika-bogor.ac.id/index.php/JUTEKS/article/view/13494.