. M, Sumirat I, Muliawati F. SIMULASI PENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM TERHADAP BANDGAP NARROWING PADA HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR Si-Ge MENGGUNAKAN MATLA. JuTEkS [Internet]. 2020 Feb. 1 [cited 2024 May 11];7(2). Available from: https://ejournal.uika-bogor.ac.id/index.php/JUTEKS/article/view/13494